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APTSM120AM08CT6AG

功能描述：POWER MODULE - SIC

制造商：microsemi corporation

系列：-

包装：散装

零件状态：有效

FET 类型：2 个 N 通道（双），肖特基

FET 功能：碳化硅 （SiC）

漏源极电压（Vdss）：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：370A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 200A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：1360nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：*

功率 - 最大值：2300W

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：SP6

供应商器件封装：SP6

标准包装：10

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